• SQJA20EP-T1_GE3 Układy scalone IC MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L
SQJA20EP-T1_GE3 Układy scalone IC MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L

SQJA20EP-T1_GE3 Układy scalone IC MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L

Szczegóły Produktu:

Numer modelu: SQJA20EP-T1_GE3

Zapłata:

Szczegóły pakowania: Taśma i szpula (TR)
Czas dostawy: 1-2 dni robocze
Zasady płatności: D/A, T/T, Western Union
Uzyskaj wycenę teraz! Kontakt

Szczegóły informacji

Napięcie od drenu do źródła (Vdss): 200V Rozpraszanie mocy (maks.): 68 W (Tc)
Opakowanie / Sprawa: PowerPAK® SO-8 Typ mocowania: Montaż powierzchniowy
Opakowania: Taśma i szpula (TR) Pakiet urządzeń dostawcy: PowerPAK® SO-8

opis produktu

Możemy dostarczyćSQJA20EP-T1_GE3, wyślij nam zapytanie ofertowe na żądanieSQJA20EP-T1_GE3cena i czas realizacji,https://www.henkochips.comprofesjonalny dystrybutor podzespołów elektronicznych.Z ponad 10 milionami pozycji dostępnych komponentów elektronicznych, które można wysłać w krótkim czasie, ponad 250 tysięcy numerów części komponentów elektronicznych dostępnych w magazynie do natychmiastowej dostawy, które mogą zawierać numer częściSQJA20EP-T1_GE3Cena i czas realizacji dotSQJA20EP-T1_GE3w zależności od wymaganej ilości, dostępności i lokalizacji magazynu. Skontaktuj się z nami już dziś, a nasz przedstawiciel handlowy poda Ci cenę i dostawę częściSQJA20EP-T1_GE3. Cieszymy się na współpracę z Państwem w celu ustanowienia długoterminowych relacji współpracy

 

Vgs(th) (Maks.) @ Id: 3,5 V przy 250 µA
Napięcie napędu (maks. odczyty wł., min odczyty wł.): 7,5 V, 10 V
Status bez ołowiu / status RoHS: Bez ołowiu / Zgodny z RoHS
Szczegółowy opis: Kanał N 200 V 22,5 A (Tc) 68 W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerPAK® SO-8
Funkcja FET: -
Poziom czułości na wilgoć (MSL): 1 (bez ograniczeń)
Typ FET: Kanał N
Seria: Motoryzacja, AEC-Q101, TrenchFET®
Prąd — ciągły drenaż (Id) @ 25°C: 22,5 A (Tc)
Inne nazwy: SQJA20EP-T1_GE3TR
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: 1300 pF przy 25 V
Vgs (maks.): ±20 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm przy 10 A, 10 V
Technologia: MOSFET (tlenek metalu)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs: 27nC przy 10V
Temperatura robocza: -55°C ~ 175°C (TJ)

Powszechny problem

Jesteśmy zobowiązani do dostarczania klientom wysokiej jakości produktów i usług.
P: Jak zapytać / zamówić
SQJA20EP-T1_GE3?
Odp.: Kliknij „Uzyskaj najlepszą cenę”, a następnie kliknij „WYŚLIJ”. Poproś o wycenę.
P: Zapytanie / zamówienie
SQJA20EP-T1_GE3, jak długo mogę otrzymać odpowiedź?
Odp .: Po otrzymaniu informacji skontaktujemy się z Tobą e-mailem tak szybko, jak to możliwe.
P: jak zapłacić po złożeniu zamówienia
SQJA20EP-T1_GE3?
Odp.: akceptujemy T/T (przelew bankowy), PayPal, Western Union.

Chcesz dowiedzieć się więcej o tym produkcie
Jestem zainteresowany SQJA20EP-T1_GE3 Układy scalone IC MOSFET N-CH 200V PWRPAK SO-8L czy mógłbyś przesłać mi więcej informacji, takich jak rodzaj, rozmiar, ilość, materiał itp.
Dzięki!
Czekam na Twoją odpowiedź.